碳化硅衬底市场报告：预计2030年全球市场规模将达到44.4亿美元--QYResearch

衬底，作为半导体制造中的关键材料，是通过特定结晶方向的切割、研磨与抛光得到的洁净单晶圆薄片，具备特定的晶面及优异的电学、光学和机械特性，是生长外延层的基础。碳化硅（SiC）衬底，作为宽禁带半导体的新星，以其独特的耐高温、耐高压、高频、大功率及抗辐射等特性，正逐步成为半导体器件制造的核心材料。SiC器件不仅开关速度快、效率高，还能大幅降低产品功耗、提升能量转换效率，并显著减小产品体积，为现代工业发展注入新活力。

QYResearch调研团队最新发布的《全球碳化硅衬底市场报告2024-2030》显示，全球碳化硅衬底市场预计将在2030年达到44.4亿美元规模，未来几年将以21.6%的复合年增长率（CAGR）迅猛增长。这一预测不仅揭示了SiC衬底市场的巨大潜力，也预示着其在半导体领域的广泛应用前景。


在全球范围内，碳化硅衬底市场呈现出高度集中的竞争格局。Wolfspeed、天科合达、Coherent、天岳先进、ROHM Group (SiCrystal)、Onsemi、Resonac、烁科晶体、SK Siltron及河北同光等企业，凭借其在SiC衬底领域的深厚积累和技术优势，占据了市场的主导地位。2023年，全球前十强厂商的市场份额已高达94%，市场竞争格局清晰且竞争激烈。

从产品类型来看，6英寸SiC衬底以其成熟的技术和广泛的应用基础，成为市场的主流产品，占据了约75.9%的市场份额。而在应用领域方面，功率器件作为SiC衬底的主要需求来源，占据了约77.8%的市场份额，广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网及航空航天等现代工业领域，展现了SiC衬底的强大应用潜力和市场价值。

驱动碳化硅衬底市场快速发展的主要因素包括：

电动汽车市场的快速增长：随着汽车制造商对SiC组件的采用不断增加，SiC衬底在电动汽车动力系统和充电系统中的应用日益广泛，其高效能、高续航里程和快速充电速度成为电动汽车市场的重要推动力。

可再生能源的推动：全球对太阳能和风能等可再生能源的需求不断增加，推动了高效电力转换和储能系统的发展。SiC衬底凭借其高能效、导热性和耐用性，在光伏逆变器、储能和智能电网等领域展现出巨大优势，成为可再生能源领域的重要材料。

高频和高压应用需求的增长：在电信、工业自动化和航空航天等领域，高频和高压应用的需求日益增长。SiC衬底能够在高开关频率下运行并处理更大的功率密度，从而制造出更小、更轻、更高效的设备，满足了这些领域对高性能材料的需求。

然而，碳化硅衬底市场的发展也面临着一些挑战：

技术壁垒高：生产SiC单晶基板所需的技术复杂且先进，构成了巨大的进入壁垒，限制了市场参与者的数量，从而限制了竞争和市场多样性。

替代方案的竞争：随着材料科学的不断进步，氮化镓（GaN）等替代方案正在成为SiC在多个应用领域的潜在竞争对手，对SiC衬底市场构成了挑战。

市场需求波动：SiC单晶基板主要应用于电力电子和光电子等高性能应用，市场需求相对狭窄且集中，容易受到特定行业变化的影响，从而影响SiC行业的稳定性。

QYResearch在化学材料、电子半导体、汽车及交通、设备及耗材、机械设备、消费品、农业、能源电力、建筑、食品饮料、网络及通讯、软件及商业服务等研究领域为企业提供专业的市场调查报告、市场研究报告、可行性研究、IPO咨询、商业计划书等服务。

全球贸易紧张局势：全球贸易紧张局势和不可预测的政策对SiC单晶基板市场构成风险，可能扰乱供应链、增加成本并造成市场波动。

展望未来，碳化硅衬底市场将呈现以下发展趋势：

8英寸衬底将成为主流：随着性价比成为决定SiC器件量产使用的关键，衬底制备技术的提升将成为碳化硅性价比提升的核心。未来，8英寸SiC衬底将成为市场的主流产品，推动SiC器件的大规模产业化。

SiC器件在电源中的使用量增加：随着SiC器件在电源和逆变器应用上的使用量不断增加，电子领域将成为SiC器件的主要应用领域之一。特别是在新能源汽车市场，SiC器件的应用还有进一步提升的空间。

技术不断进步：碳化硅器件的工艺要求非常高，高稳定性晶体生长工艺技术是其核心。目前，部分公司已实现大尺寸6英寸碳化硅晶圆及外延片的开发，并正致力于8英寸碳化硅晶圆及外延片的研发。同时，晶体生长和晶圆切割抛光技术也在不断进步，将进一步提高碳化硅晶圆的合格率。

综上所述，碳化硅衬底市场正迎来前所未有的发展机遇，但也面临着诸多挑战。未来，随着技术的不断进步和市场的持续拓展，碳化硅衬底将在更多领域发挥重要作用，为半导体产业的发展注入新动力。